Биполярные транзисторы

Всё, для чего на форуме не нашлось специального раздела
Аватара пользователя
rhf-admin
администратор, спонсор, писатель, дизайнер, инженер, программист, идеолог
администратор, спонсор, писатель, дизайнер, инженер, программист, идеолог
Сообщения: 2991
Зарегистрирован: 25 авг 2009, 23:19
Откуда: Уфа
Контактная информация:

Биполярные транзисторы

Сообщение rhf-admin »

Накатали с Барсом статью про биполярные транзисторы: http://www.radiohlam.ru/teory/transistor.htm
Постарались объяснить попроще, что они из себя представляют и как с ними обращаться (как ими управлять, как их проверять и т.д.).
Ну, точнее, Барс хотел попроще, а я всё норовил усложнить и запутать. :lol: Даже поругались, прям как Ильф с Петровым.
Надеюсь, будет интересно и полезно.
С уважением, администрация сайта.
Аватара пользователя
БАРС
модератор, спонсор, писатель, идеолог, редактор
модератор, спонсор, писатель, идеолог, редактор
Сообщения: 2012
Зарегистрирован: 16 ноя 2009, 15:25
Откуда: СССР, г. Москва

Re: Биполярные транзисторы

Сообщение БАРС »

Спасибо Админу за исправление моих ошибок, полезные примечания и дополнения к статье! А можно здесь вопросы по ней задавать, или лучше отдельную тему создать?
http://www.youtube.com/watch?v=vhE6qT6q ... re=related Доктрина США по уничтожению русских.
Я вас сканирую: Изображение
Сотрудничаю с НАСА, Роскосмос, Газпром, РЖД, Интер РАО ЕЭС, Роснано и др. (конкретно уточняйте у самой организации) ©.
Аватара пользователя
rhf-admin
администратор, спонсор, писатель, дизайнер, инженер, программист, идеолог
администратор, спонсор, писатель, дизайнер, инженер, программист, идеолог
Сообщения: 2991
Зарегистрирован: 25 авг 2009, 23:19
Откуда: Уфа
Контактная информация:

Re: Биполярные транзисторы

Сообщение rhf-admin »

Давай прям тут.
С уважением, администрация сайта.
Аватара пользователя
БАРС
модератор, спонсор, писатель, идеолог, редактор
модератор, спонсор, писатель, идеолог, редактор
Сообщения: 2012
Зарегистрирован: 16 ноя 2009, 15:25
Откуда: СССР, г. Москва

Re: Биполярные транзисторы

Сообщение БАРС »

Задам пока часть вопросов.
Ещё скажу, что есть такое понятие, как коэффициент насыщения. Он определяется как отношение реального тока базы (того, который у вас есть в данный момент) к току базы в пограничном состоянии между активным режимом и насыщением.
А где и для чего используется этот параметр (коэфф. насыщения)?
3) Если у нас на обоих переходах обратное смещение - транзистор находится в режиме отсечки.
Это так специально подают на БЭ обратное напряжение? По сути, если через БЭ в прямом направлении ток не течёт, то транзистор и так закрыт. А тут ещё зачем-то обратный ток создают... :geek:
Иногда ещё выделяют пятый, так называемый, "барьерный режим". В этом случае база транзистора закорочена с коллектором. По сути правильнее было бы говорить не о каком-то особом режиме, а об особом способе включения. Режим тут вполне обычный - близкий к пограничному состоянию между активным режимом и насыщением. Его можно получить и не только закорачивая базу с коллектором. В данном конкретном случае вся фишка в том, что при таком способе включения, как бы мы не меняли напряжение питания или нагрузку - транзистор всё равно останется в этом самом пограничном режиме. То есть транзистор в этом случае будет эквивалентен диоду.
Какой смысл включать транзистор диодом?
Кроме параметра ? используется ещё один коэффициент: коэффициент передачи эмиттерного тока (?). Он равен отношению тока коллектора к току эмиттера: ?=Iк/Iэ. Значение этого коэффициента обычно близко к единице (чем ближе к единице - тем лучше).
Где нужно учитывать этот коэффициент? В каких схемах?
в забугорной литературе иногда вместо ? можно встретить hFE
Что такое hFE?
http://www.youtube.com/watch?v=vhE6qT6q ... re=related Доктрина США по уничтожению русских.
Я вас сканирую: Изображение
Сотрудничаю с НАСА, Роскосмос, Газпром, РЖД, Интер РАО ЕЭС, Роснано и др. (конкретно уточняйте у самой организации) ©.
Аватара пользователя
rhf-admin
администратор, спонсор, писатель, дизайнер, инженер, программист, идеолог
администратор, спонсор, писатель, дизайнер, инженер, программист, идеолог
Сообщения: 2991
Зарегистрирован: 25 авг 2009, 23:19
Откуда: Уфа
Контактная информация:

Re: Биполярные транзисторы

Сообщение rhf-admin »

А где и для чего используется этот параметр (коэфф. насыщения)?
Этот параметр влияет на время переключения и, соответственно, используется при расчётах времени включения/выключения. От этого в том числе зависит крутизна фронтов и динамические потери.
Это так специально подают на БЭ обратное напряжение? По сути, если через БЭ в прямом направлении ток не течёт, то транзистор и так закрыт. А тут ещё зачем-то обратный ток создают...
Тут тоже борьба за время переключения, фронты и динамические потери. Транзистор конечно и так закроется, если просто эмиттер с базой замкнуть, но вот если ещё и обратное напряжение приложить, то транзистор закроется значительно быстрее. Вот представь, что у тебя есть кондёр, который заряжен до 20 вольт. Ты хочешь его через резистор разрядить до 10 вольт. Как он быстрее до 10 вольт разрядится - если ты его плюсовую ногу на 10 вольт замкнёшь или на землю? Вот тут примерно тоже самое.
Какой смысл включать транзистор диодом?
Смысл, например, в технологичности. Так сделаны почти все диоды в микрухах. Проще наляпать на кристалле одних транзисторов, а потом просто по разному их коммутируя получить и транзисторы и диоды.
Где нужно учитывать этот коэффициент? В каких схемах?
Понятия не имею. По идее если мы знаем коэффициент бета, то всегда легко найти коэффициент альфа и наоборот. Его похоже просто придумали первым, но большее распространение получил именно бета (удобней оказался), вот бетой и пользуются и в справочниках пишут.
Что такое hFE?
Это просто буржуйское обозначение параметра h21э - коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером. Подозреваю, что последняя буква E - как раз и обозначает общий эмиттер. Хотя...
С уважением, администрация сайта.
Аватара пользователя
БАРС
модератор, спонсор, писатель, идеолог, редактор
модератор, спонсор, писатель, идеолог, редактор
Сообщения: 2012
Зарегистрирован: 16 ноя 2009, 15:25
Откуда: СССР, г. Москва

Re: Биполярные транзисторы

Сообщение БАРС »

Этот параметр влияет на время переключения и, соответственно, используется при расчётах времени включения/выключения. От этого в том числе зависит крутизна фронтов и динамические потери.
Динамические потери, это потери на переключение (при переключении?) ключевого транзистора?
Тут тоже борьба за время переключения, фронты и динамические потери. Транзистор конечно и так закроется, если просто эмиттер с базой замкнуть, но вот если ещё и обратное напряжение приложить, то транзистор закроется значительно быстрее. Вот представь, что у тебя есть кондёр, который заряжен до 20 вольт. Ты хочешь его через резистор разрядить до 10 вольт. Как он быстрее до 10 вольт разрядится - если ты его плюсовую ногу на 10 вольт замкнёшь или на землю? Вот тут примерно тоже самое.
И что, такие приёмы с приложением обратного напряжения для быстрого закрывания транзистора используются в схемотехнике?

Походу со статьёй мы немного опоздали. Вот тут очень даже доходчиво расписано http://hightolow.ru/transistor2.php то, на понимание чего у меня ушло несколько лет :?
1) Схема с общим эмиттером.
...
Такая схема включения (для краткости её обозначают ОЭ) является наиболее распространённой, поскольку позволяет усилить как ток, так и напряжение, то есть позволяет получить максимальное усиление мощности.
Не совсем понятно. Как ток можно увеличить, без приращения напряжения? А как напряжение можно увеличить, не подняв при этом силу тока? :? Абракадабра какая-то...
2) Схема с общей базой.
...
Такая схема (ОБ) усиливает только напряжение и не усиливает ток. Сигнал в данном случае по фазе не сдвигается.
Усиливает напряжение, и не усиливает ток... :?
По фазе не сдвигается - имеется ввиду, что сигнал не инвертируется?
http://www.youtube.com/watch?v=vhE6qT6q ... re=related Доктрина США по уничтожению русских.
Я вас сканирую: Изображение
Сотрудничаю с НАСА, Роскосмос, Газпром, РЖД, Интер РАО ЕЭС, Роснано и др. (конкретно уточняйте у самой организации) ©.
Аватара пользователя
rhf-admin
администратор, спонсор, писатель, дизайнер, инженер, программист, идеолог
администратор, спонсор, писатель, дизайнер, инженер, программист, идеолог
Сообщения: 2991
Зарегистрирован: 25 авг 2009, 23:19
Откуда: Уфа
Контактная информация:

Re: Биполярные транзисторы

Сообщение rhf-admin »

Динамические потери, это потери на переключение (при переключении?) ключевого транзистора?
Да.
И что, такие приёмы с приложением обратного напряжения для быстрого закрывания транзистора используются в схемотехнике?
Используются. Но пример сходу не приведу.
Как ток можно увеличить, без приращения напряжения? А как напряжение можно увеличить, не подняв при этом силу тока?
В чём проблема? Это на одном и том же сопротивлении невозможно увеличить ток, не увеличив напряжение. А у нас во вторичной цепи свой источник питания + своя нагрузка, которая отличается от входного сопротивления. То есть во вторичной цепи мы совершенно к другому сопротивлению прикладываем выходное напряжение. Почему же мы не можем сделать во вторичной цепи такой же ток, как и во входной цепи, но при большем напряжении или большее напряжение при таком же токе? Очень даже можем.
По фазе не сдвигается - имеется ввиду, что сигнал не инвертируется?
Ага.
С уважением, администрация сайта.
Rus_lan
инженер, читатель
инженер, читатель
Сообщения: 246
Зарегистрирован: 07 май 2013, 11:29
Откуда: Тульская область

Re: Биполярные транзисторы

Сообщение Rus_lan »

Вот пример ускоряющих конденсаторов (кусок схемы компьютерного БП) когда на верхней части обмотки + ток через разряженый конденсатор С7, С8 течет через базу транзистора и открывает его по мере заряда конденсатора ток начинает течь через диод D7, D8 и далее по цепочке. Когда полярность на обмотке меняется заряженый конденсатор через обмотку трансформатора подает на базу транзистора напряжение обратной полярности тем самым закрывая его максимально быстро, тем самым снижаются динамические потери (потери при переключении)
Вложения
Ускоряющие конденсаторы.JPG
Аватара пользователя
БАРС
модератор, спонсор, писатель, идеолог, редактор
модератор, спонсор, писатель, идеолог, редактор
Сообщения: 2012
Зарегистрирован: 16 ноя 2009, 15:25
Откуда: СССР, г. Москва

Re: Биполярные транзисторы

Сообщение БАРС »

Спасибо! Жаль на схеме не указаны номиналы элементов, а то, так не совсем понятно, что куда течёт!
http://www.youtube.com/watch?v=vhE6qT6q ... re=related Доктрина США по уничтожению русских.
Я вас сканирую: Изображение
Сотрудничаю с НАСА, Роскосмос, Газпром, РЖД, Интер РАО ЕЭС, Роснано и др. (конкретно уточняйте у самой организации) ©.
Rus_lan
инженер, читатель
инженер, читатель
Сообщения: 246
Зарегистрирован: 07 май 2013, 11:29
Откуда: Тульская область

Re: Биполярные транзисторы

Сообщение Rus_lan »

Номиналы можно взять практически с любой схемы компьютерного БП формата АТХ. Первичные цепи практически одинаковы различия в цепях стабилизации и управления! если нужно могу кинуть схему с номиналами, но их в нете полно!
Ответить