Биполярные транзисторы

Всё, для чего на форуме не нашлось специального раздела
Аватара пользователя
БАРС
модератор, спонсор, писатель, идеолог, редактор
модератор, спонсор, писатель, идеолог, редактор
Сообщения: 2019
Зарегистрирован: 16 ноя 2009, 15:25
Откуда: СССР, г. Москва

Re: Биполярные транзисторы

Сообщение БАРС »

rhf-admin писал(а): Фигасе, стабилитронное включение, там целая схема.
Целая схема из одного транзистора? :D
http://we.easyelectronics.ru/uploads/im ... e66ffc.gif
rhf-admin писал(а): технология не умерла, она ушла вглубь.
Что имеется ввиду под словом "вглубь"?
Rus_lan писал(а):есть ли смысл городить огород?
Если это будет выгодно - будут городить. Даже в домашней мастерской, обычно собирается из того, что есть под рукой.
Сотрудничаю с НАСА, Роскосмос, Газпром, РЖД, Интер РАО ЕЭС, Роснано и др. (конкретно уточняйте у самой организации) ©.
Rus_lan
инженер, читатель
инженер, читатель
Сообщения: 246
Зарегистрирован: 07 май 2013, 11:29
Откуда: Тульская область

Re: Биполярные транзисторы

Сообщение Rus_lan »

БАРС писал(а):Что имеется ввиду под словом "вглубь"?
имеется в виду в микросхемотехнику!
БАРС писал(а):Если это будет выгодно - будут городить. Даже в домашней мастерской, обычно собирается из того, что есть под рукой.

Согласен, что в домашних условиях зачастую собирается из того что есть под руками но ставить транзистор диодом не зная его характеристик в режиме диода :?
Serious Man
Читатель
Читатель
Сообщения: 2
Зарегистрирован: 12 дек 2014, 01:13
Откуда: Н.Новгород

Re: Биполярные транзисторы

Сообщение Serious Man »

Хотел бы уточнить несколько вопросов по статье о биполярных транзисторах.

/1/ Относительно какого общего вывода измеряются напряжения Uк, Uб и Uэ?
transistor_4.gif
transistor_4.gif (4.36 КБ) 6406 просмотров
/2/ Выделил текст красным и синим:
Схемы в активном режиме.png
Подчеркнуто красным: получается, что Uэ = Uб, хотя на рисунке выше (пункт 1) указано неравенство Uэ < Uб. Где-то опечатка?

Подчеркнуто синим: на мой взгляд, на правой схеме будет всё то же самое, если левую схему перерисовать так:
Схема p-n-p.png
Схема p-n-p.png (3.56 КБ) 4387 просмотров
Тогда в обоих схемах, при нижнем положении ползунка переменного резистора оба транзистора будут закрыты, а в верхнем положении ползунка - открыты. В чём смысл "переворачивания" схемы на p-n-p транзисторе?

/2.1/
Тут всё просто. Закон Ома: I=U/R. Следовательно R=(12 В питания - 0,65 В потери на pn-переходе БЭ) / 0,0025 А = 4540 Ом.
Потери на pn-переходе (0,65В) не зависят от сопротивления постоянного резистора (R1 на схеме)?

/3/
Так как через лампу течёт ток 50 мА, то нам нужно выбрать транзистор с максимальным током КЭ не менее 62,5 мА (обычно рекомендуют использовать компоненты на 75% от их максимальных параметров, это такой своеобразный запас). Открываем справочник и ищем подходящий p-n-p транзистор. Например КТ361. В нашем случае по току подходят с буквенными индексами "а, б, в, г", так как максимальное напряжение КЭ у них 20В, а у нас в задаче всего 12В
У транзистора КТ361 ток Iк.макс = 50 мА, поэтому в данном случае, он не подходит.

/4/
в расчёте будем использовать минимальный Кус=20. Теперь думаем. Какой минимальный ток должен течь между эмиттером и базой, чтобы через КЭ обеспечить ток 50 мА?
50 мА/ 20 раз = 2,5 мА
М.б. дополнить статью, правильным определением Кус? Например, как это сказано в теме: Коэффициент усиления h21э транзисторов 2N3055 (КТ819ГМ)
Аватара пользователя
rhf-admin
администратор, спонсор, писатель, дизайнер, инженер, программист, идеолог
администратор, спонсор, писатель, дизайнер, инженер, программист, идеолог
Сообщения: 3060
Зарегистрирован: 25 авг 2009, 23:19
Откуда: Уфа
Контактная информация:

Re: Биполярные транзисторы

Сообщение rhf-admin »

1) Пофигу, можно даже относительно лично меня измерять. Лишь бы все три напруги были измерены относительно одного и того же. Ну можно было "напряжение" заменить на "потенциал", но термин напряжение известнее для широкой публики.
2) Ну, можно считать что опечатка, а можно считать, что не опечатка. Там, где режимы описаны, рассматриваются модели идеального транзистора, у которого при равенстве потенциалов базы и эмиттера будет пограничное состояние, поэтому указано строгое неравенство. В примере транзистор реальный и он при равенстве потенциалов базы и эмиттера будет закрыт.
Правая схема - для npn. Согласен, правильнее наверное было бы написать не "точно также", а "аналогично", поскольку тут в нижнем положении ползунка транзистор закрыт, а по мере того, как ползунок поднимают - транзистор открывается. Здесь имеется ввиду "точно также" не в том смысле, что для ползунков всё точно также, а именно в смысле аналогично.
2.1) В реальном транзисторе падение на pn-переходе слабо зависит от тока, поэтому строго говоря - зависит. Но в случае с лампочкой, например, нам на это пофиг и мы смело можем считать, что не зависит. На самом деле всё зависит от степени нашей идеализации реальности.
3) Насчёт 361-го скажу, что по моим данным он всё же 100 мА.
4) Может быть и дополнить :)
С уважением, администрация сайта.
Serious Man
Читатель
Читатель
Сообщения: 2
Зарегистрирован: 12 дек 2014, 01:13
Откуда: Н.Новгород

Re: Биполярные транзисторы

Сообщение Serious Man »

rhf-admin, понятно, спасибо! Кстати, не могу не отметить, что статья про биполярные транзисторы очень доступно изложена. Авторы - молодцы!
Аватара пользователя
БАРС
модератор, спонсор, писатель, идеолог, редактор
модератор, спонсор, писатель, идеолог, редактор
Сообщения: 2019
Зарегистрирован: 16 ноя 2009, 15:25
Откуда: СССР, г. Москва

Re: Биполярные транзисторы

Сообщение БАРС »

Да уж, если бы вы знали, какую долгую и нужную эпопею мы с админом устраивали в личке, когда редактировали эту статью... :D
Сотрудничаю с НАСА, Роскосмос, Газпром, РЖД, Интер РАО ЕЭС, Роснано и др. (конкретно уточняйте у самой организации) ©.
Ответить