1) Резистор светодиода.
Смотришь для транзистора Uкэ насыщения, смотришь какое напряжение должно быть на диодной сборке (обозначим как Vd). Находишь Vпит-Vd-Uкэ нас=VR - столько должно упасть на резисторе. Смотришь номинальный ток сборки (или одного светодиода, если они все последовательно включены) Id.
R=VR/Id - резистор для светодиодов.
2) Резистор в базу. Всё, что нам нужно - это обеспечить Uб чуть больше Uк. Uк=(Uпит-Vd). Rб=(Uпит-Uк)/Iб => Rб=Vd*h21/Id - это граничная величина. Возьмёшь R чуть меньше - получишь требуемый режим насыщения.
Есть одна засада. Uб должно быть меньше Uбэ0 max, поэтому, чтобы не было гемороя транзистор npn ставят эмиттером к земле (это уже будет 3-й вариант
). Сначала к питанию диоды и ограничительный резистор, а последним транзистор. Тогда всё тоже самое, кроме последнего выражения: Rб=(Uпит-(Uпит-VR-Vd))*h21/Id или по другому (VR+VD)*h21/Id или (Uпит-Uкэ нас)*h21/Id.
Вот как-то так, насколько я помню. Короче, смотря какие напряжения на схеме, может все 3 варианта прокатят, может только 2-й и 3-й, а может быть и только 3-й.
З.Ы. Фу, устал писать.