ЗУ для герметичных свинцово-кислотных АКБ - 2.

[rhf-admin]

1,3. Можно и с VT2, если эти полвольта так важны, только не с коллектора, а с эмиттера. Там нужен не npn, а pnp транзистор. В таком включении как у тебя светодиод будет всегда включен, а транзистор всегда открыт. R7 нужен, только номинал надо подобрать (мне кажется можно и меньше, Ом 100 где-то). Он нужен потому что при токе 6А, например, на твоём диоде упадёт около 1В, что много для pn перехода БЭ транзистора, и если не будет этого токозадающего резистора - ток база-эмиттер устремится в небеса и транзистор сгорит.
2. Пойдёт.
4,5. Для начала какие есть. Можно и 360 оба или R5=200, R6=360.

[БАРС]

1,3. Можно и с VT2, если эти полвольта так важны

Конечно важны. Там же не стабильно будет падать 0,5В, а в зависимости от тока. А гелевый аккумулятор существо нежное. Такое включение позволит стабилизировать напряжение именно на нём.
1. Всё-так я не понял для чего там резистор R8? По идее на диоде будут падать нужные 0,7В для открытия транзистора.
2. Для понижайки надо индуктивность дросселя накинуть? Калькулятор насчитал мне 10,3 мкГн. Сколько ставить?
3. На чём всё-таки дроссель мотать?
4. калькулятор пишет ёмкость С6 = 75.0000 мкф при пульсациях = 100 мВ. Реально что ли при токе 3 А ёмкость достаточно всего 75 мкф?
5. VT2 лучше ставить с h21э повыше или пониже? Наверно чтобы светодиод резко затухал надо h21э повыше, скажем КТ3107...
Планирую, как только появится время, собрать навесной макет устройства.

[rhf-admin]

1. Пока ток маленький - он весь будет идти через R8 (падения на нём будет недостаточно для открытия pn-перехода диода). Как только ток вырастет настолько, что на резисторе упадёт больше 0,5 В, - весь "лишний" ток пойдёт через открывшийся диод и дальше с увеличением тока падение напряжения на VD2+R8 расти не будет. Короче если бы был только VD2, то мы бы сразу на этом участке получили падение 0,5В. Если бы один резистор, то с увеличением тока постоянно бы росло падение напряжения, а так оно сначала растёт, а потом нет.
2. Ну близко к этому значению, - 12, 15 мкГн.
3. Такой индуктивности на кольце из материнки врядли получишь, слишком маленькая там проницаемость, так что на гантелине. Хотя можно попробовать и на кольце, но тогда много витков надо (в пару слоев).
4. Эту ёмкость в разных даташитах предлагают по разному считать и ВСЕ производители рекомендуют в итоге полученное значение в несколько раз увеличить. Так что меньше 220 не ставь (если только для эксперимента).
5. VT2 нужен маломощный, а у них у всех h21 достаточно большой. 3107 - пойдёт.

[БАРС]

1. А что, у p-n перехода диода есть минимальное значение тока при котором он открывается? Ты сам говорил, что чем меньше ток через диод, тем меньше падение напряжения на диоде. Я думал что при 10 мА, например, диод открыт и на нём потеряется скажем 0,5В. А при 3А диод тоже будет открыт, но на нём упадёт 1,2В
5. Ну не совсем у всех. У КТ361 всё-таки меньше чем у КТ3107.
6. Кстати, попытался я рассчитать R7, и, что-то намудрил...
Возьмём напряжение на эмиттере VT2 (который мысленно представим pnp транзистором ) = 15 В.
I базы = I коллектора / h21э = 0,02 А / 70 = 0,0002857 А
R базы = (U вх. макс - U паден. на транзисторе) / I базы = (15 В - 0,65 В) / 0,0002857 А = 50227 Ом (ставим 51 кОм)

7. И расчёт R9:
R9 = (15 В - 0,65 В - 2В) / 0,02 А = 617,5 Ом.

[rhf-admin]

1. Не тока, - напряжения. У него ВАХ нифига не из начала координат начинается (график справа - для кремниевого):

Ну точнее из начала конечно, но до 0,6 В там будет ток на уровне обратного тока, - микроамперы и только при 0,6 В начнёт "открываться" pn переход.
Так вот, при отсутствии шунтирующего резистора диод будет естественно всегда открыт, потому что если его закрыть каким-то чудом, то разность потенциалов на нём станет равна полному выходному напряжению и он снова полностью откроется. А вот когда диод зашунтирован резистором, то разность потенциалов на нём равна падению напряжения на резисторе, которое можно найти из закона Ома: U=IR. То есть если ток маленький (такой, что IR < 0,6), то он весь потечёт через резистор, а вот при дальнейшем увеличении тока все излишки потекут уже через диод.

6. Сначала схему перерисуй, понятнее будет. Это pnp, тут ток из эмиттера в базу течёт. И ещё кое что. Посмотрел характеристики и понял, что я тебе немножко, как бы помягче... Ну в общем, там написано: максимальное напряжение БЭ=-5В. Так что нифига он не сгорит, даже если R7 действительно выкинуть. Просто у pn перехода транзистора и диода VD2 разные характтеристики и даже при падении 1,3 Вольта много тока из эмиттера в базу не пойдёт (не больше, чем можно), основной ток всё равно пойдёт через диод.

7. R9 - правильно.

[БАРС]

Так вот, при отсутствии шунтирующего резистора диод будет естественно всегда открыт, потому что если его закрыть каким-то чудом, то разность потенциалов на нём станет равна полному выходному напряжению и он снова полностью откроется. А вот когда диод зашунтирован резистором, то разность потенциалов на нём равна падению напряжения на резисторе, которое можно найти из закона Ома: U=IR. То есть если ток маленький (такой, что IR < 0,6), то он весь потечёт через резистор, а вот при дальнейшем увеличении тока все излишки потекут уже через диод.

1. То есть получается что если бы диод не был зашунтирован резистором, то аккумулятор зарядившись до определённого уровня (до падения напряжения на анод-катод диода менее 0,6В) просто бы перестал заряжаться/подзаряжаться дальше (т.к. диод закрылся)?
И тогда по сути никакого буферного режима бы уже не получилось без шунтирования диода резистором?

6. Сначала схему перерисуй, понятнее будет.

6. Перерисовал то я давно. Даже добавил переключатель 2 вариантов заряда
Но не понимаю, как этот транзистор вообще откроется, ведь для его открытия нужно на базу подать напряжение меньшее, чем напряжение на эмиттер. А у нас получается база контачит с анодом диода, а эмиттер с катодом, то есть всё наоборот
8. А включение транзистора получается с общим эмиттером, пишут что для них базовый резистор обязателен...
9. Для реализации второго режима заряда напряжение на выходе нужно до 15В. А я считал до 13,7В.Наверно нужно снова пересчитать в калькуляторе под 3А, 15В выходного?

Неправильную схему удалил.

[rhf-admin]

1. Да.

Но не понимаю, как этот транзистор вообще откроется, ведь для его открытия нужно на базу подать напряжение меньшее, чем напряжение на эмиттер.

Ну правильно, внимательно на оригинал посмотри, там база и R4 справа, а эмиттер - слева.

[БАРС]

1. Какая плотность тока берётся для дросселей?
Я посчитал из расчёта 5А на 1мм кв. Тогда мне для 6А нужно 1,2 кв. мм. или 6 ниток проводом диаметром 0,5мм, что соответствует сечению 0,2мм кв.
2. Допустим для увеличения номинального тока дросселя я соединяю параллельно два дросселя по 15мкГн. Как рассчитывается общая получившаяся индуктивность?

[rhf-admin]

1. На это можно для начала ориентироваться, но это может оказаться сильно не так. Лишь бы не грелось ничего. А так-то тут важно и как плотно намотаны витки на сердечник, и между собой, и сколько слоёв и т.д. и т.п. Вот, читай: http://klausmobile.narod.ru/appnotes/an ... _pwm_r.htm, миф пятый.

2. 1/Lобщ=1/L1+1/L2, сответственно у двух по 15 общая будет 7,5.

[БАРС]

Спасибо, очень интересная ссылочка... Я пока озадачился разработкой дросселя. Сколько ниток, какое сечение, какая длина, куда - чего...

2. 1/Lобщ=1/L1+1/L2, сответственно у двух по 15 общая будет 7,5.

Я тоже считал что с индуктивностью будет так же как и с резисторами, но вот беру броневой феррит, на нём заводская намотка - две обмотки
Первый - две обмотки по 99 мкГн, параллелю их - мультиметр показывает общую индуктивность = 93 мкГн.
Второй дроссель - одна обмотка 103 мкГн, вторая - 104 мкГн. Общую показывает = 97 мкГн.